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結果: 找到相關主題 164 個
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032n10n場效應管參數,120a100v mos管,KCX032N10N-KIA MOS管
KCX032N10N場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流120A ，采用先進的MOS技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 3.5mΩ，卓越的QgxRDS（on）產品（FOM），減少開關損耗，提高效率；符合JEDEC標準，100%DVDS測試、100%雪崩測試，確保可靠性和穩定性，在電機控制和驅動、電...www.enlve.com/article/detail/5768.html 2025-07-03
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推挽電壓尖峰高原因及解決方法分享-KIA MOS管
在每個開關管的并聯位置添加反并聯二極管。這樣做可以在開關管關斷時提供一個回路，使電感中的能量得以釋放，從而降低尖峰電壓的幅值。www.enlve.com/article/detail/5767.html 2025-07-03
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ac電流和dc電流關系,有什么區別-KIA MOS管
ac(交流電）：電流方向和大小隨時間按正弦規律周期性變化。例如家庭用電（中國為220V/50Hz），電流方向每秒改變100次。www.enlve.com/article/detail/5766.html 2025-07-03
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17N10場效應管,259a100v,KCX017N10N參數資料-KIA MOS管
KCX017N10N場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流259A ，采用先進的MOS技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 2mΩ，卓越的QgxRDS（on）產品（FOM），減少開關損耗，提高效率；符合JEDEC標準，?100%DVDS測試、100%雪崩測試，確保可靠性和穩定性，在電機控制和驅動、電...www.enlve.com/article/detail/5765.html 2025-07-02
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n溝道mos管開關電路,原理圖分享-KIA MOS管
nmos管作為防止電路反接方案中，VCC=5V的電源加在10K阻性負載上，電壓表、電流表分別測量，記錄值是5V、500uA；切換Key開關，模擬電源反接時，測得記錄值是-49.554mV、-4.955uA。www.enlve.com/article/detail/5764.html 2025-07-02
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直流快充樁和交流充電樁區別,優缺點詳解-KIA MOS管
交流充電樁輸出的依然是交流電，這種電流需要經過車載充電機(OBC)轉換為直流電后才能為電池充電。這一轉換過程限制了充電速度，因為車載充電機的功率通常有限(3.3kW-22kW不等)。www.enlve.com/article/detail/5763.html 2025-07-02
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12N10場效應管參數,330a100v,KCX012N10N參數-KIA MOS管
KCX012N10N場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流330A ，采用先進的MOS技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 1.4mΩ，卓越的QgxRDS（on）產品（FOM），減少開關損耗，高效穩定；符合JEDEC標準，堅固可靠，在電機控制和驅動、電池管理、不間斷電源（UPS）中廣泛應用；...www.enlve.com/article/detail/5762.html 2025-07-01
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llc電路詳解,llc諧振電路原理-KIA MOS管
LLC變換器由4個模塊組成：電源開關、諧振腔、變壓器和二極管整流器。MOSFET功率開關首先將輸入的直流電壓轉換為高頻方波；隨后方波進入諧振腔，由諧振腔消除方波的諧波并輸出基頻的正弦波；正弦波再通過高頻變壓器傳輸到變換器的副邊，并根據應用需求對電壓進行...www.enlve.com/article/detail/5761.html 2025-07-01
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ppn詳解,ppn電容作用,測量方法-KIA MOS管
PPN電容是CBB13型無感箔式聚丙烯膜電容的另一種名稱，屬于薄膜電容器的一種，具有高頻損耗小、耐沖擊、溫度穩定性好等特點，廣泛應用于高頻、直流、交流及大電流脈沖電路中。www.enlve.com/article/detail/5760.html 2025-07-01
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電機控制MOS管,305a90v,12N09場效應管參數中文資料-KIA MOS管
KCX012N09N場效應管漏源擊穿電壓90V，漏極電流305A ，采用先進的MOS技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 1.3mΩ，卓越的QgxRDS（on）產品（FOM），減少開關損耗，提高效率；符合JEDEC標準，產品性能穩定可靠，在電機控制和驅動、電池管理、不間斷電源（UPS）中廣泛...www.enlve.com/article/detail/5759.html 2025-06-30
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tip42c參數與管腳圖,tip42c參數及代換-KIA MOS管
TIP42C是PNP功率晶體管，采用TO-220塑料封裝，材料是SI-NPN，該器件適用于音頻，功率線性和開關應用。與TIP42C互補的PNP類型為TIP41C中功率三極管，其廣泛用于信號放大及音頻功放用晶體管。www.enlve.com/article/detail/5758.html 2025-06-30
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無線電發射與接收原理,電路圖分享-KIA MOS管
無線電通信是利用電磁波進行信息傳輸的一種技術。無線電通常使用調頻或調幅技術將信息轉化為電信號,然后通過天線傳輸。1.調制：發射端先將要傳輸的信號進行調制，將其轉換為適合在空間中傳播的電磁波信號。www.enlve.com/article/detail/5757.html 2025-06-30
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upsmos管,70a250v場效應管,KCP3525A參數引腳圖-KIA MOS管
KCP3525A場效應管漏源擊穿電壓250V，漏極電流70A ，采用先進的SGT技術制造，專有新溝槽技術，極低導通電阻RDS(開啟) 18.5mΩ，低柵極電荷減少開關損耗，提高效率；快速恢復體二極管，具有反向電壓保護、續流功能和防止電源反接等優點，在硬開關與高速電路、電機...www.enlve.com/article/detail/5756.html 2025-06-27
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sip封裝工藝,sip封裝有哪幾種-KIA MOS管
sip封裝是將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者光學器件等其他器件優先組裝到一起，實現一定功能的單個標準封裝件，形成一個系統或者子系統。www.enlve.com/article/detail/5755.html 2025-06-27